股管家 扬杰科技取得具有分裂栅结构的SiC MOSFET器件专利, 可提高器件的开关性能
国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“具有分裂栅结构的SiCMOSFET器件”的专利,授权公告号CN223348991U,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,具有分裂栅结构的SiCMOSFET器件,包括从下而上依次设置为N+衬底层、N‑外延层、栅氧化层、Poly层、隔离介质层和正面电极金属层;所述N‑外延层内设有:P‑body区,设有一对,分别从所述N‑外延层的顶面向下延伸;第一N+区,从所述P‑body区顶面向下延伸;第一P+区,从所述P‑body区顶面向下延伸,并与所述第一N+区的侧部连接;第二P+区,沿所述P‑body区的内侧向下延伸至P‑body区的下方,将所述P‑body区的内侧拐角处包裹;第二N+区,从所述第二P+区的顶部向下延伸,与所述P‑body区相连;所述栅氧化层的底面分别与第一N+区、P‑body区和第二N+区连接;所述Poly层设置在栅氧化层的顶面。
天眼查资料显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司,成立于2006年,位于扬州市,是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析,扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了28家企业,参与招投标项目188次,财产线索方面有商标信息5条,专利信息752条,此外企业还拥有行政许可233个。
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