股管家 扬杰科技取得具有分裂栅结构的SiC MOSFET器件专利, 可提高器件的开关性能

国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“具有分裂栅结构的SiCMOSFET器件”的专利，授权公告号CN223348991U，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，具有分裂栅结构的SiCMOSFET器件，包括从下而上依次设置为N+衬底层、N‑外延层、栅氧化层、Poly层、隔离介质层和正面电极金属层；所述N‑外延层内设有：P‑body区，设有一对，分别从所述N‑外延层的顶面向下延伸；第一N+区，从所述P‑body区顶面向下延伸；第一P+区，从所述P‑body区顶面向下延伸，并与所述第一N+区的侧部连接；第二P+区，沿所述P‑body区的内侧向下延伸至P‑body区的下方，将所述P‑body区的内侧拐角处包裹；第二N+区，从所述第二P+区的顶部向下延伸，与所述P‑body区相连；所述栅氧化层的底面分别与第一N+区、P‑body区和第二N+区连接；所述Poly层设置在栅氧化层的顶面。

天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目188次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息752条，此外企业还拥有行政许可233个。

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